[CUSTOM IC ONE CHIP] Inverter Cross-section (02)

2025-04-10

Inverter Cross-section

• p,nMOS의 소스와 바디는 단락되어 있어야 한다.
• 이를 위해 고도핑한 바디 영역을 소스옆에 배치한다.
• 이를 메탈로 연결해 단락시킴이콘 추가한다.

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Inverter Mask Set

• Inverter Cross-section을 위에서 바라본 모습으로 공정을 위한 설계도
• 실제로는 HOLE과 ELECTRON의 속도 차이 존재한다.
• 즉 nMOS와 pMOS를 동일한 크기로 만들면 전류량이 달라진다.
• 이로 인해 정상 작동이 불가하므로 수정이 필요하다.
• ELECTRON속도가 2배 빠르다 가정했을때 pMOS의 L을 2배 줄이거나 W를 2배 키워 그려야 한다.

전류의 비례공식

• 전류는 채널 길이인 L에 반비례하고 MOS의 넓이인 W에 비례한다.

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Layout

• 칩의 mask를 그리는 작업
• Feature size f = distance between source and drain

f는 채널 길이

• ex) λ=0.3μm in 0.6μm process

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Design Rules

• fab마다 사용하는 Design Rule
• 위의 Design Rule을 토대로 레이아웃을 만들어야 한다.